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三星宣布量产第8代V-NAND闪存,PCIe5.0SSD速度可超12GB

来源:IT之家 发表时间:2022-11-08 09:00 阅读量:9784  

,尽管尚未发布实际产品,但三星电子现在宣布,它已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片,该公司将其命名为第八代V—NAND。

新一代内存芯片可以带来2400MTps的传输速度,配合高端master使用可以轻松让消费级SSD的传输速度超过12GBps。

据介绍,第8代V—NAND可以提供1Tb的解决方案三星电子没有透露IC的尺寸和实际密度,但他们称之为业界最高的位密度

三星声称,与现有的相同容量的闪存芯片相比,其新一代3D NAND闪存可以将单晶生产率提高20%,从而进一步降低成本,这可能意味着大家有望购买更便宜的相同容量的SSD。

该公司没有透露新产品架构,但根据提供的图像,我们可以假设这是一款双平面3D NAND芯片。

三星电子闪存产品和技术执行副总裁SungHoi Hur表示,伴随着市场对更密集和更大存储的需求推动V—NAND层数的增加,三星采用了先进的3D压缩技术来减少表面积和高度,同时避免了压缩过程中通常会发生的单元间干扰我们的第八代V—NAND将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们能够更好地提供更加差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础

今年年中,三星推出了第八代和第九代V—NAND产品以及第五代DRAM产品在此之前,该公司目前为V—NAND提供512 Gb三级单元产品

另外,第五代DRAM产品将是10nm器件,2023年进入量产阶段据本站报道,三星即将推出的其他DRAM解决方案包括32gb ddr5x dram,8.5 Gbps LPDDR5X DRAM和36 Gbps GDDR7 DRAM

三星对其V—NAND声称,将在2030年前建造1000层的V—NAND为了实现这一目标,三星正在从当前的TLC架构过渡到四级单元架构,以增加密度和支持更多层

三星还将在DRAM的研发方面投入更多资源,研究新的架构和材料,如High—K,帮助将DRAM扩展到10nm以上该公司打算进一步开发其他DRAM解决方案,如内存处理

责任编辑:苏小糖

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